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话筒(麦克风MIC 微音器 传声器)的参数性能特性
相关内容: 传声器 话筒 参数 麦克风 性能 特性
  传声器的性能,可以用一系列客观参数进行描述,主要的有灵敏度,频率响应,等效噪声级,指向性,动态范围,最高声压级和输出阻抗等。  话筒(麦克风MIC微音器传声器)的参数1、灵敏度:它是表征传声器电声换能能力的一个指标,其定义是在单位声压作用下的输出电压或电功率。可见,随着单位和负载的不同,可能有多种不同的表示方法。常见的有开路灵敏度和有载灵敏度两种。所谓开路灵敏度系指在单位声压作用下输出的电动势。换句话说,当传声器的输出端处与开路状态时,若作用在振膜上的声压为P,测得的电压为V,则开路灵敏度常用的单位为豪伏/微巴。如果以分贝(dB)表示,开路灵敏度:  (dB)=20lgV/P-20lgV(0)/P(0)分贝  必须特别加以注意的是,当以分贝表示传声器的开路灵敏度时,必须注明其基准值。  有载灵敏度又称灵敏度的功率表示法。它是指在单位声压作用下,在话筒(麦克风MIC微音器传声器)输出端的额定负载上输出的电功率。通常规定额定负载为600欧姆。  在上述定义中,都涉及声压的测量问题。如果采用的是声场中某点的声压值,则称为声场灵敏度;如果取实际作用在传声器振膜上的声压值,则称为声场灵敏度;如果取实际作用在传声器振膜上的声压值,得出的则是声压灵敏度。在实际使用中,除非另有说明,通常说明书上给出的是声场灵敏度。  话筒(麦克风MIC微音器传声器)的参数2、频率响应:传声器的灵敏度与频率有关,不同的频率,其灵敏度不一定相同。这种反映灵敏度随频率变化的特性就称为传声器的频率响应或频率特性。通常采用灵敏度与频率之间的关系曲线表示..
门极可关断晶闸管-什么是门极关断晶闸管(可控硅)
相关内容: 可控硅 什么
  门极可关断晶闸管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)也是晶闸管(Thyristor)的一种派生器件,但可以通过在门极施加负脉冲使其关断,因而属于全控型器件;它和普通晶闸管一样,也是PNPN四层结构,外部引出三个极,阳极,阴极和门极;工作条件同普通晶闸管;其主要用于兆瓦级以上的大功率场合。
万用表测量区分单向双向可控硅(晶闸管)
相关内容: 区分 万用表 双向 可控硅 测量 单向
  分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。  单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。  1、可控硅测量方法_单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。  2、可控硅测量方法_性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。  对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说..
单向双向可控硅(晶闸管)结构原理图
相关内容: 双向 可控硅 结构 单向 原理
  一、单向可控硅(晶闸管)结构原理:单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。  单向可控硅结构和电路符号图  二、双向可可控硅(晶闸管)结构原理:双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。  双向可控硅结构和电路符号图..
什么叫GTO可关断可控硅及其测量
相关内容: 可控硅 什么 及其 测量
  可关断晶闸管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦称门控晶闸管。GTO可关断可控硅其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。  普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。可关断晶闸管GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO可关断可控硅已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。  可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此仅绘出可关断晶闸管GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO可关断可控硅大都制成模块形式。  尽管可关断晶闸管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO可关断可控硅在导通后只能达到临界饱和,所以可关断晶闸管GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO可关断可控硅的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比,有公式  βoff=IATM/IGM  βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显..
晶闸管原理和应用图_晶闸管的工作原理分析
相关内容: 应用 分析 原理 工作
  晶闸管在自动控制控制,机电领域,工业电气及家电等方面都有广泛的应用。晶闸管是一种有源开关元件,平时它保持在非道通状态,直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通,一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态,要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过晶闸管的电流减少到某一个值以下。  晶闸管的工作原理分析:晶闸管可用两个不同极性(P-N-P和N-P-N)晶体管来模拟,如图G1所示。当晶闸管的栅极悬空时,BG1和BG2都处于截止状态,此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL,当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通,使BG1的基极电位下降,BG1因此开始道通,BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高,BG1的基极电位进一步下降,经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态,这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压,由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止,另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少,当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用,电路将很快从道通状态翻转为截止状态,我们称这个电流为维持电流。在实际应用中,我们可通过一个开关来短路晶闸管的阳极和阴极从而达到晶闸管的关断。  晶闸管应用举例:晶闸管在实际应用中电路花样最多的是其栅极触发回路,概括起来有直流触发电路,交流触发电路,相位触发电路等等。  1.直流触发电路:如图G2是一个电视机常用的过压保护电路,当E+电压过高时A点电..
晶闸管的作用用途应用-可控硅的功能
相关内容: 功能 可控硅 用途 应用 作用
  晶闸管最主要的作用之一就是稳压稳流。  晶闸管在自动控制控制,机电领域,工业电气及家电等方面都有广泛的应用。晶闸管是一种有源开关元件,平时它保持在非道通状态,直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通,一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态,要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过晶闸管的电流减少到某一个值以下。  晶闸管能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。  可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
可控硅调压电路原理_可控硅调压器电路图_晶闸管交流调压电路分析..
相关内容: 调压器 调压 可控硅 分析 交流 原理 电路图 电路
  1.可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示。  图1交流可控硅调压电路原理方框图  (1)整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。  (2)抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。   (3)可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。    (4)张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。  (5)冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。  2.可控硅(晶闸管)交流调压电路原理图  图2交流可控硅调压电路的原理图  3.可控硅(晶闸管)交流调压电路工作原理  图中TVP抗干扰普通电源电路。采用双向TVP管子。它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。  整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A,K两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。于是电容C通过T1管的e1,b1结和R2迅速的放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过0点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时C又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上..
纯电感电路
相关内容: 电感 电路
  在直流电路中,影响电流跟电压关系的只有电阻。在交流电路中,情况要复杂一些,影响电流跟电压关系的,除了电阻,还有电感和电容。  电感对交流电的阻碍作用。为什么电感对交流电有阻碍作用呢?交流电通过电感线圈时,电流时刻在改变,电感线圈中必然产生自感电动势,阻碍电流的变化,这样就形成了对电流的阻碍作用。在电工技术中,变压器、电磁铁等的线圈,一般是用铜线绕的。铜的电阻率很小,在很多情况下,线圈的电阻比较小,可以略去不计,而认为线圈只有电感。只有电感的电路叫纯电感电路。  在纯电感电路中,电流强度跟电压成正比,即I∝U.用1/(XL)作为比例恒量,写成等式,就得到I=U/(XL)这就是纯电感电路中欧姆定律的表达式。把这个表达式跟I=U/R比,可以看出XL相当于电阻R。XL表示出电感对交流电阻碍作用的大小,叫做感抗,它的单位也是欧姆。  线圈的感抗XL跟自感系数L和交流电的频率f间有如下的关系:  XL=2лfL  由于1亨=1伏·秒/安,1亨/秒=1伏/安=1欧,因此上式中的XL、f、L的单位应分别用欧姆、赫兹、亨利。  电阻是由导体本身的电阻率、长度和横截面积决定的,跟通过的电流无关。XL=2лfL说明,感抗却跟通过的电流的频率有关。例如,自感系数是1亨的线圈,对于直流电,f=0,XL=0;对于50赫的交流电,XL=314欧;对于500千赫的交流电,XL=3.14兆欧。所以电感线圈在电路中有“通直流、阻交流”或“通低频、阻高频”的特性。在电工和电子技术中,用来“通直流、阻交流”的电感线圈,叫低频扼流圈。线圈绕在闭合的铁心上,匝数为几千甚至超过一万,..
晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用用途
相关内容: 两端 可控硅 用途 作用 网络
  在实际可控硅电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。  可控硅有一重要个特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下,使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了可控硅的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。  在可控硅处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的下,可控硅误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。,对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。  为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅安全运行,常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时,避免电容器通过可控硅放电电流过大,造成过电流而损坏可控硅。  由于可控硅过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。..
单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数
相关内容: 参数 可控硅 主要 单向
  一、单向可控硅参数_额定通态平均电流IT(AV)  在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时,可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。  二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT(AV)  在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值。  三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT  在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。  四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT  在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。  五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV  在控制极断开和正向阻断的条件下,阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。  六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV  在控制极断开的条件下,阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。  七、单向可控硅参数_维持电压IH  在室温和控制极断路时,可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流,一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值,可控硅就不能继续保持导通而自行截止。..
三点式振荡电路-LC三点式振荡器工作原理
相关内容: 三点式 振荡器 振荡 原理 工作 电路
  三点式振荡电路放大器可由分立元件构成单级或多级放大电路,也可用集成运放组成同相或反相比例放大电路。Z1、Z2、Z3表示纯电抗元件或电抗网络。如下图。  设:运算放大器的输出阻抗为ro,开环增益为AVO。则      如果要使电路振荡,要求AF=1  由此得:X1+X2+X3=0,即X1、X2为同类电抗,X3为与X1、X2相反种类的电抗。  三点式振荡电路工作原理特性:  (1)在LC振荡电路中,如果Z1、Z2为电感,则Z3为电容,成为电感三点式振荡器;如果Z1、Z2为电容,则Z3为电感,成为电容三点式振荡器。  (2)两个相同性质电抗的连接点必须接放大器的同相端,(三极管为发射极);另一端接反相端(三极管为基极)即所谓的射同基反的原则。  (3)  所以,当无接线错误而不起振时,可以增大或AVO的值(如更换b较大的三极管)。
在交流调压电路中双向可控硅(晶闸管)的使用注意事项..
相关内容: 调压 注意事项 双向 可控硅 使用 交流 电路
  目前交流调压多采用双向可控硅,它具有体积小、重量轻、效率高和使用方便等优点,对提高生产效率和降低成本等都有显著效果,但它也具有过载和抗干扰能力差,且在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点,下面我们来谈谈可控硅在其使用中如何避免上述问题。  1 灵敏度 双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两极为阴阳极,而是称作T1和T2极,G为控制极,其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通,在图1所示的四种条件下双向可控硅均可被触发导通,但是触发灵敏度互不相同,即保证双向可控硅能进入导通状态的最小门极电流IGT是有区别的,其中(a)触发灵敏度最高,(b)触发灵敏度最低,为了保证触发同时又要尽量限制门极电流,应选择(c)或(d)的触发方式。  2 可控硅过载的保护 可控硅元件优点很多,但是它过载能力差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有条件(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用;(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取;(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些,一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采..
为什么在放大电路中常采用负反馈而不少用正反馈
相关内容: 不少 中常 采用 为什么 反馈 放大 电路
  在放大电路中采用负反馈可以改善放大电路的性能,稳定工作点,提高放大倍数,能扩展频带,减小非线性失真和抑制干扰,改变输入电阻和输出电阻。而正反馈虽然能提高放大器的放大倍数,但会使放大电路性能下降。所以,在放大电路中常采用负反馈而不采用正反馈。
新型绝缘栅双极晶体管IGBT驱动芯片MC33153
相关内容: MC33153 IGBT 驱动 芯片 新型 绝缘 晶体管
  IGBT(IsolateGateBipolarTransistor)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几kHz~几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位[1~2]。  对于IGBT电压型功率器件,目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片,如IR2110、EXB841、M57962等,它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。这些混合IC具有各自的特点,应用于不同的场合,也有一定的局限性:  1)IR2110具有自举能力,可以在驱动桥式电路时使用一组电源,但芯片与主电路的高压直接相连,安全性较差[3];  2)EXB841集成度较高,但针对不同开关频率的保护调节不方便[4];   3)M57962驱动能力大,适用于大功率单管IGBT,但与EXB841一样不能调节退饱和保护时间,并且动作速度太慢。  MC33153是一款应用于中大功率的单个IGBT驱动芯片[1],具有电流保护、器件退饱和保护以及欠压保护功能,同时芯片可以灵活地设定退饱和保护的动作时间。在中大功率场合,MC33153的应用具有越来越广阔的前景。  1MC33153的结构  MC33153芯片内部结构框图。其主要包括逻辑输入、过流保护、短路保护、退饱和保护、欠电压保护及推挽输出等部分。  芯片的供电较为灵活,既可以采用单电源供电,又可以采用正负电源供电,如果要在单电源的条件下实现IGBT的负电压可靠关断,可以在外围设计分压电路,最后得到VCC(+14.9V),GND(0V),VE(E-5.1V)。于是驱动电路输出的电..
施密特电路的用途-施密特触发器应用
相关内容: 施密特 用途 触发器 应用 电路
  施密特电路的用途是:  施密特触发器应用于整形:将不好的矩形波,变为较好的矩形波;  施密特触发器应用于波形转换:将三角波、正弦波和其它波形转换为矩形波;转换后的输出波形与输入波形相同;  施密特触发器应用于幅度鉴别:可以将输入信号中的幅度大于某一数值得信号检测出来。
什么是直流负反馈和交流负反馈 它们在反馈电路中的作用是什么..
相关内容: 它们 什么 反馈 作用 交流 直流 电路
  根据反馈信号本身的交直流性质,可将其分为交流反馈与直流反馈。如果反馈信号只包含直流成分,称为直流反馈;如果反馈信号只包含交流成分,则称为交流反馈。直流负反馈在电路中的主要作用是稳定静态工作点,而交流负反馈的主要作用是改善放大器的性能。
IGBT管的测量-如何检测判断IGBT管的好坏
相关内容: 好坏 IGBT 检测 如何 测量 判断
  igbt管的好坏可用指针万用表的rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量pn结正向压降进行判断。检测前先将igbt管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测g、e两极及g、c两极的电阻,对于正常的igbt管(正常g、c两极与g、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的igbt管正常时,e、c极间均有4kw正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接c极,黑笔接e极,若所测值在3.5kwl左右,则所测管为含阻尼二极管的igbt管,若所测值在50kw左右,则所测igbt管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下,igbt管的c、c极问正向压降约为0.5v。  综上所述,内含阻尼二极管的igbt管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,  其他连接检测的读数均为无穷大。  如果测得igbt管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得igbt管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中igbt管多为击穿损坏。为使保护正常输出,不使用的保护必须拉为高电平(对脚1),或是通过电容接地(对脚8)。..
IGBT模块的参数特性术语及说明
相关内容: 模块 参数 IGBT 术语 特性 说明
  IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:集电极、发射极间电压(符号:VCES):栅极、发射极间短路时的集电极,发射极间的最大电压。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:栅极发极间电压(符号:VGES):集电极、发射极间短路时的栅极,发射极间最大电压。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:集电极电流(符号:IC):集电极所允许的最大直流电流。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:耗散功率(符号:PC):单个IGBT所允许的最大耗散功率。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:结温(符号:Tj):元件连续工作时芯片温厦。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:关断电流(符号:ICES):栅极、发射极间短路,在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:漏电流(符号:IGES):集电极、发射极间短路,在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:饱和压降(符号:VCE(sat)):在指定的集电极电流和..
反馈放大器的正反馈和负反馈如何判断
相关内容: 放大器 如何 判断 反馈
  通常采用瞬时极性法来判别正、负反馈。其步骤为:  (1)假设在原输入信号作用下,晶体管的基极电位在某一瞬时的极性。瞬时极性为“+”,指电位升高;瞬时极性为“-”,则指电位在降低。  (2)根据晶体管集电极瞬时极性与基极的瞬时极性相反,而发射极的瞬时极性与基极的瞬时极性相同,以及电容、电阻等反馈元件不会改变瞬时极性来决定各点的瞬时极性。  (3)判断反馈信号对输入信号是加强还是削弱。如果反馈信号增强了输入信号的作用,使放大电路的放大倍增加数为正反馈,反之为负反馈。
m序列发生器-伪随机序列发生器
相关内容: 序列 随机 发生器
  m序列码也称伪随机序列码,其主要特点是:  (1)每个周期中,“1”码出现2n-1次,“0”码出现2n-1次,即0、1出现概率几乎相等。  (2)序列中连1的数目是n,连0的数目是n-1。  (3)分布无规律,具有与白噪声相似的伪随机特性。  由于具有这些特点,m序列码在通信、雷达、系统可靠性测试等方面获得了广泛地应用。m序列码发生器是一种反馈移位型结构的电路,它由n位移位寄存器加异或反馈网络组成,其序列长度M=2n-1,只有一个多余状态即全0状态,所以称为最大线性序列码发生器。由于其结构已定型,且反馈函数和连接形式都有一定的规律,因此利用查表的方式就设计出m序列码。列出部分m序列码的反馈函数F和移存器位数n的对应关系。如果给定一个序列信号长度M,则根据M=2n-1求出n,由n查表便可以得到相应的反馈函数F。
什么是差动保护
相关内容: 什么 保护
  差动保护是变压器的主保护,是按循环电流原理装设的。  主要用来保护双绕组或三绕组变压器绕组内部及其引出线上发生的各种相间短路故障,同时也可以用来保护变压器单相匝间短路故障。  在绕组变压器的两侧均装设电流互感器,其二次侧按循环电流法接线,即如果两侧电流互感器的同级性端都朝向母线侧,则将同级性端子相连,并在两接线之间并联接入电流继电器。在继电器线圈中流过的电流是两侧电流互感器的二次电流只差,也就是说差动继电器是接在差动回路的。  从理论上讲,正常运行及外部故障时,差动回路电流为零。实际上由于两侧电流互感器的特性不可能完全一致等原因,在正常运行和外部短路时,差动回路中仍有不平衡点流Iumb流过,此时流过继电器的电流IK为  要求不平衡点流应尽量的小,以确保继电器不会误动。  当变压器内部发生相间短路故障时,在差动回路中由于I2改变了方向或等于零(无电源侧),这是流过继电器的电流为I1与I2之和,即  能使继电器可靠动作。  变压器差动保护的范围是构成变压器差动保护的电流互感器之间的电气设备、以及连接这些设备的导线。由于差动保护对保护区外故障不会动作,因此差动保护不需要与保护区外相邻元件保护在动作值和动作时限上相互配合,所以在区内故障时,可以瞬时动作。..
寄存器的作用-寄存器的用途
相关内容: 寄存器 用途 作用
  寄存器是CPU内部的元件,寄存器拥有非常高的读写速度,所以在寄存器之间的数据传送非常快。  寄存器的用途:  1.可将寄存器内的数据执行算术及逻辑运算。  2.存于寄存器内的地址可用来指向内存的某个位置,即寻址。  3.可以用来读写数据到电脑的周边设备。
如何判别晶闸管质量好坏
相关内容: 质量 好坏 如何 判别
  晶闸管质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结均应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阴极与阳极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,当给阴极与阳极间加正向电压时晶闸管应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。  用万用表欧姆挡测量晶闸管的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是:用Rx1k或Rx10k挡测量阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明晶闸管已经击穿短路或已经开路,此晶闸管不能使用了。  用Rx1k或Rx10k挡测量阳极与控制极之间的电阻,电阻值很小表明晶闸管已经损坏。  用Rx10或Rx100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制  极与阴极之间的PN结巴经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。证常情况是反向阻值明显大于正向阻值。  晶闸管是否具有晶闸管特性,仅通过电流的测量是看不出来的,应通过下面的试验电路加以判断。首先按图1接好电路。电源为6V直流,电阻R1、R1都为47Ω,电流表量程大于100mA。不合开关时,电流应很小为正常,如表针指示数很大,表明管子已坏。当合上开关K时,表针应有几十毫安以上为正常,如此时电流很小,或表针几乎不动,说明晶闸管已坏。最后将开关S打开,这时表针的指示应与打开前一样,说明晶闸管是好的.如果打开开关S后,表针指示降为零,说明晶闸管没有维持导通的..
同步复位与异步复位-异步复位和同步复位区别-异步复位同步释放..
相关内容: 释放 异步 复位 同步 区别
  一、同步复位与异步复位特点:  同步复位就是指复位信号只有在时钟上升沿到来时,才能有效。否则,无法完成对系统的复位工作。  异步复位是指无论时钟沿是否到来,只要复位信号有效,就对系统进行复位。     二、异步复位和同步复位的优缺点:  1、同步复位的优点大概有3条:  a、有利于仿真器的仿真。  b、可以使所设计的系统成为100%的同步时序电路,这便大大有利于时序分析,而且综合出来的fmax一般较高。  c、因为他只有在时钟有效电平到来时才有效,所以可以滤除高于时钟频率的毛刺。同步复位的缺点:  a、复位信号的有效时长必须大于时钟周期,才能真正被系统识别并完成复位任务。同时还要考虑,诸如:组合逻辑路径延时,复位延时等因素。  b、由于大多数的逻辑器件的目标库内的DFF都只有异步复位端口,所以,倘若采用同步复位的话,综合器就会在寄存器的数据输入端口插入组合逻辑,这样就会耗费较多的逻辑资源。  2、异步复位的优点也有三条:  a、大多数目标器件库的dff都有异步复位端口,因此采用异步复位可以节省资源。  b、设计相对简单。  c、异步复位信号识别方便,而且可以很方便的使用FPGA的全局复位端口GSR。  异步复位的缺点:  a、在复位信号释放(release)的时候容易出现问题。具体就是说:倘若复位释放时恰恰在时钟有效沿附近,就很容易使寄存器输出出现亚稳态,从而导致亚稳态。  b、复位信号容易受到毛刺的影响。  所以,一般都推荐使用异步复位同步释放的方式,而且复位信号低电平有效。这样就可以两全其美了。..
晶体管无触点开关_晶体管反相器的工作原理图
相关内容: 无触点 晶体管 原理 工作 开关
  晶体管反相器是一种很简单的无触点开关。下图是晶体管反相器的工作原理图,图a是基本电路,图b是输入、输出波形。  图:晶体管反相器的工作原理图  当无输入信号(即输入端为零电位)时,晶体管截止,输出端电位接近Ucc,这时相当于开关断开的情况。  当输入端加上信号(例如为+6V)时,晶体管处于饱和状态,输出端电位近似为零,电源电压机几乎全部在Rc上。这时相当于开关接通的情况。  由此可见,晶体管输入端状态和输出端状态刚好相反:输入为高电位时,输出为低电位;输入为低电位时,输出为高电位;所以可称之为反相器。又因为它相当于一个没有机械触点的开关,所以属于无触点开关。
滤波器的分类
相关内容: 滤波器 分类
  按元件分类,滤波器可分为:有源滤波器、无源滤波器、陶瓷滤波器、晶体滤波器、机械滤波器、锁相环滤波器、开关电容滤波器等。  按信号处理的方式分类,滤波器可分为:模拟滤波器、数字滤波器。  按通频带分类,滤波器可分为:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。  除此之外,还有一些特殊滤波器,如满足一定频响特性、相移特性的特殊滤波器,例如,线性相移滤波器、时延滤波器、音响中的计杈网络滤波器、电视机中的中放声表面波滤波器等。  按通频带分类,有源滤波器可分为:低通滤波器(LPF)、高通滤波器(HPF)、带通滤波器(BPF)、带阻滤波器(BEF)等。  按通带滤波特性分类,有源滤波器可分为:最大平坦型(巴特沃思型)滤波器、等波纹型(切比雪夫型)滤波器、线性相移型(贝塞尔型)滤波器等。  按运放电路的构成分类,有源滤波器可分为:无限增益单反馈环型滤波器、无限增益多反馈环型滤波器、压控电源型滤波器、负阻变换器型滤波器、回转器型滤波器等。
差动放大器电路图-差动放大电路工作原理分析
相关内容: 放大器 分析 放大 原理 电路图 工作 电路
  差动放大器电路是由特性相同的两放大管(称差动对管)及其他元件组成的电路结构对称的放大电路,利用对称性来实现电路的相互补偿,减少零点漂移。  差动放大电路工作原理  基本差动放大电路:下图为差动放大器的两种典型电路。其中左图为射极偏置,右图为电流源偏置。  差动放大电路图(a)射极偏置差放(b)电流源偏置差放  差动放大电路有两个输入端子和两个输出端子,因此信号的输入和输出均有双端和单端两种方式。双端输入时,信号同时加到两输入端;单端输入时,信号加到一个输入端与地之间,另一个输入端接地。双端输出时,信号取于两输出端之间;单端输出时,信号取于一个输出端到地之间。因此,差动放大电路有双端输入双端输出、单端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入单端输出四种应用方式。上面两个差动放大器电路均为双端输入双端输出方式。  差动放大电路的外信号输入分差模和共模两种基本输入状态。当外信号加到两输入端子之间,使两个输入信号vI1、vI2的大小相等、极性相反时,称为差模输入状态。此时,外输入信号称为差模输入信号,以vId表示,且有:    当外信号加到两输入端子与地之间,使vI1、vI2大小相等、极性相同时,称为共模输入状态,此时的外输入信号称为共模输入信号,以vIC表示,且:    当输入信号使vI1、vI2的大小不对称时,输入信号可以看成是由差模信号vId和共模信号vIc两部分组成,其中    根据上述,可得到下图的统一的简化差动放大电路。其中,IEE为差动对管公共射极支路的静态电流,Rem表示公共射极于地之间的动态..


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